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J-GLOBAL ID:201802252577149497   整理番号:18A1131403

Al_0.2Ga_0.8As_2×2正方形画素X線フォトダイオードアレイ【JST・京大機械翻訳】

Al0.2Ga0.8As 2 × 2 square pixel X-ray photodiode array
著者 (3件):
資料名:
巻: 899  ページ: 106-114  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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MOVPEにより成長させた材料から,モノリシック2×2正方画素Al0.2Ga0.8As p+-i-n+メサX線フォトダイオードアレイ(200μm,3μm層による各フォトダイオード面積200μm)を作製した。アレイを100°C~-20°Cの温度範囲で電気的に特性化した。55Fe放射性同位体X線源(Mn Kα=5.9keV;Mn Kβ=6.49keV)からの軟X線による照射に対する各画素の応答を30°C~-20°Cの温度範囲で調べた。20°Cで達成した最良のエネルギー分解能(5.9keVでのFWHM)は0.76keV±0.06keV(検出器に適用した30V逆バイアス)であった。測定されたエネルギー分解能は,20°CでのAlGaAs X線フォトダイオードに対して今までに報告された最良のものである。また,それは初めて小さいAlGaAsX線フォトダイオードアレイを実証した。AlGaAsの温度許容性と放射線硬度により,このような検出器は,例えば,木星または土星の極光と高温惑星表面を研究するミッションのために,強力な放射環境にさらされた将来の宇宙科学ミッションにおいて有用性を見出すことが期待される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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放射線検出・検出器  ,  X線技術 
タイトルに関連する用語 (5件):
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