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J-GLOBAL ID：201802252580669348   整理番号：18A1438227

電気化学エッチング法に基づくタングステンプローブ調製装置研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Tungsten Probe Fabrication Device Based on the Electrochemical Etching Method

著者 (6件)： Xu Jingtao (中国計量大学計量測試工程学院,浙江杭州,310018) ,  Gao Sitian (中国計量科学研究院,北京,100029) ,  Huang Lu (中国計量科学研究院,北京,100029) ,  Li Qi (中国計量科学研究院,北京,100029) ,  Li Dongsheng (中国計量大学計量測試工程学院,浙江杭州,310018) ,  Wang Yali (浙江理工大学机械与自動控制学院,浙江杭州,310027)
資料名： Jiliang Xuebao  (Jiliang Xuebao)
巻： 39  号： 3  ページ： 294-298  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2540A  ISSN： 1000-1158  CODEN： JIXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： タングステンプローブの原理を,電気化学エッチング法に基づき設計し,タングステンプローブ調製装置を設計し,そして,タングステンプローブ調製パラメータを研究した。装置の実験部分はプローブと電解槽の相対位置と運動パラメータを調整し、制御部分は電気化学反応の状態を監視するために用いる。従来の腐食プローブと比較して,この装置は,制御プローブの腐食過程中の運動パラメータを制御することにより,形状制御可能大アスペクト比プローブを得た。同時に、腐食反応時間を精確に制御することにより、針先曲率半径範囲が520nmのプローブを作製できる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 腐食 ,  電気化学反応 ,  *プローブ ,  *タングステン ,  電解槽 ,  アスペクト比 ,  形状制御 ,  反応時間
準シソーラス用語： 曲率半径 ,  相対位置 ,  電気化学エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： metrology ,  tungsten probe tip ,  electrochemical etching ,  ratio of length-diameter ,  curvature radius

分類 (1件)： 電磁気的量の計測一般  (AD07010R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学エッチング ,  タングステン ,  プローブ ,  調製 ,  研究