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J-GLOBAL ID：201802252684758206   整理番号：18A0035589

PとAlドープ立方相Ca2Siの電子構造と光学的性質の第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principle Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of P and Al Doped Cubic Ca2Si

著者 (3件)： Cen Weifu (貴州民族大学大学生創新創業指導中心,貴陽 550025;貴州民族大学,貴州省教育庁光電信息分析与処理特色重点実験室,貴陽 550025;貴州民族大学,貴州省教育庁緑色節能材料特色重点実験室,貴陽 550025) ,  Yang Yinye (貴州民族大学,貴州省教育庁光電信息分析与処理特色重点実験室,貴陽 550025;貴州民族大学材料科学与工程学院,貴陽 550025) ,  Fan Menghui (貴州民族大学,貴州省教育庁光電信息分析与処理特色重点実験室,貴陽 550025;貴州民族大学,貴州省教育庁緑色節能材料特色重点実験室,貴陽 550025)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 46  号： 8  ページ： 1456-1463  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度関数理論に基づく第一原理平面波超ソフトポテンシャル方法を用いて、それぞれ立方相Ca2Si及びドープP、Alの電子構造と光学性質を計算した。結果は以下を示した。立方晶相Ca2Siは0.554eVのバンドギャップをもつ直接バンドギャップ半導体であり,価電子帯は主にSiの3pとCaの3d,4sの電子から成り,伝導バンドは主にCaの3d,4sとSiの3p状態電子からなり,静的誘電率は11.92474である。屈折率が3.45322.Ca2SiでPをドープした後,Ca2Siはn型半導体に変化し,そのバンドギャップは0.42808Vで,価電子帯は主にSi,Alの3pとCaの3d,4sの電子からなる。伝導帯は主にCa3d、Alの3p、3sとSiの3p状態電子から構成されている。静的誘電率は7.92698で,屈折率は2.81549であった。Alをドープした後,Ca2Siはn型半導体に変化し,バンドギャップは0.26317eVであり,フェルミ面付近の価電子帯は主にSi,Pの3pとCaの3d状態電子から成り,伝導帯は主にCaの3d 4s,Pの3p,3sとSiの3p状態電子から構成される。静的誘電率は17.02409で,屈折率は4.1263であった。PとAlの添加は,Ca2Siの反射率を減少させ,Ca2Siの吸収係数を増加させ,Ca2Siの光利用率を増加させた。このことは,Ca2Siの電子構造と光学的性質を効果的に変化させることができ,Ca2Si材料の開発と応用のための理論的基礎を提供することを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  Fermi面 ,  *ケイ素 ,  *アルミニウム ,  *電子構造 ,  *計算 ,  伝導バンド ,  誘電率 ,  密度汎関数法 ,  *第一原理 ,  *カルシウム ,  バンドギャップ ,  価電子バンド ,  *ドーピング ,  半導体 ,  *光学的性質

著者キーワード (5件)： electronic structure ,  optical property ,  first-principle ,  Ca2Si ,  doped

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  ドープ ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  第一原理計算