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J-GLOBAL ID：201802252732559679   整理番号：18A1511723

分布帰還と直流ポンプによるグラフェン-半導体構造における表面プラズモンポラリトン発生【JST・京大機械翻訳】

Surface Plasmon Polariton Generation in Graphene-Semiconductor Structure with Distributed Feedback and Direct Current Pump

著者 (5件)： Zolotovskii I. (Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Moiseev S. (Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Dadoenkova Y. (Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Kadochkin A. (Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Ivanov O. (Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICLO  ページ： 363  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体膜とグラフェン単層を含む導波路系における表面プラズモンポラリトン発生の可能性を示した。この増幅はグラフェンを伝搬する高速ドリフト電流により生成され,半導体膜厚の周期的変化によりフィードバックが実現される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フィードバック ,  ドリフト ,  導波路 ,  *直流 ,  高速度 ,  単一層 ,  *半導体 ,  電流 ,  膜厚 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *表面プラズモンポラリトン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分布 ,  帰還 ,  直流 ,  グラフェン ,  表面プラズモンポラリトン