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J-GLOBAL ID:201802253169121475   整理番号:18A2114123

RFマグネトロンスパッタリングによる酸化第一銅薄膜の合成【JST・京大機械翻訳】

SYNTHESIS OF CUPROUS OXIDE THIN FILMS BY RF-MAGNETRON SPUTTERING
著者 (2件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 1850051  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1109A  ISSN: 0218-625X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: シンガポール (SGP)  言語: 英語 (EN)
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酸化第一銅(Cu_2O)薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリング技術により,α-Al_2O_3(000l)基板上の金属Cuターゲットから製造した。基板温度,ガス流およびスパッタリングパワーをそれぞれ変調することにより,種々のスパッタリングパラメータの下で3バッチの試料を蒸着した。試料をX線回折と電界放出型走査電子顕微鏡で特性化した。実験を通して,スパッタリング条件の影響を系統的に調べた。Cu_2O薄膜における結晶化度と結晶配向は主に温度交換に依存し,膜形態の変化に寄与すると推論した。さらに,ガス流は膜中の銅イオンの原子価に影響し,スパッタリングパワーは主に膜の成長速度に影響した。本研究は,適切な形態と有用な特性を有する適切なCu_2O薄膜を堆積するためのより特異なスキームを促進する。Copyright 2018 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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