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J-GLOBAL ID：201802253303627496   整理番号：18A1564869

熱駆動SOI-MEMSを用いたへき開破壊によるナノギャップ創製

著者 (3件)： 土屋智由 (京大) ,  平井義和 (京大) ,  田畑修 (京大)
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.J2210205  発行年： 2017年09月02日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶シリコンの梁構造を半導体微細加工技術で作製し,これを一体化した微小電気機械システム(MEMS)アクチュエータで(111)面においてへき開することで連続的にギャップの創成,間隔の制御,ギャップ間の物性測定を行うことを試みている。本報告では破壊に十分な応力集中を起こす切り欠きを紫外線露光の解像度で実現するために2層マスクを用いた手法を検討した。金属マスクとレジストマスクを重ね合わせ,ドライエッチングで形成したV字の切り欠きパターンの応力集中係数は4.2で熱膨張アクチュエータ駆動でのへき開破壊に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  MEMS ,  アクチュエータ ,  劈開【結晶】 ,  ナノ構造 ,  応力集中 ,  切欠き ,  ドライエッチング ,  *ウエハ【IC】 ,  フォトレジスト ,  有限要素法
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  *劈開破壊 ,  *ナノギャップ ,  *SOIウェハ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱駆動 ,  SOI ,  MEMS ,  へき開破壊 ,  ナノギャップ ,  創製