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J-GLOBAL ID:201802253336780400   整理番号:18A1805762

膨張マイクロ波プラズマ中で処理したTi薄膜中の窒化チタンとケイ化物の競合成長:形態と微細構造特性【JST・京大機械翻訳】

Competing growth of titanium nitrides and silicides in Ti thin films processed in expanding microwave plasma: Morphology and microstructural properties
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 095105-095105-13  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Tiけい化物膜への窒素の拡散は,相補的金属酸化物半導体(CMOS)成分の性能を改善することを可能にする。本研究では,(Ar-33%N_2-1%H_2)ガス混合物を用いて,膨張マイクロ波プラズマ反応器において,熱化学処理を行った。このプロセスは金属表面の化学反応を促進する。膜への窒素の拡散は,プロセス中に表面層に拡散障壁を形成する酸化物のような不動態層に対するNH_xおよび/またはH種の還元効果により改善された。表面と膜-基板界面におけるTi窒化物とけい化物の同時形成は,それぞれ,800°Cの臨界温度でTiけい化物相を犠牲にして,Ti窒化物相の成長をもたらす2つの競合過程を生じさせる。本論文では,X線回折,Raman分光法,透過型電子顕微鏡法および制限視野電子回折研究により,TiSi_2およびTiN相の進展および膜の微細構造特性の包括的解析について報告した。TiNの正方形結晶を,TiSi_2の丸い形の結晶の上に同定した。TiSi_2を犠牲にしたTiN相の成長は,TiSi_2の(040)回折線の強度の壊滅的減少とTiNの(220)反射線の巨大な増加を引き起こす。TiSi_2相のバルクにおけるナノメータサイズのTiN結晶の形成,および膜-基板界面でエピタキシャル成長する自由Siの移動のようなプロセスの間の微細構造特性変化を,初めて非常に詳細な研究によって証明した。結果は,TiSi_2と窒素の間の反応からのTiNの形成機構に関連している。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  酸化物薄膜  ,  変態組織,加工組織 

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