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J-GLOBAL ID：201802253343330874   整理番号：18A0080100

Cu_2Te B SF層を有するMoTe_2薄膜太陽電池の数値解析【Powered by NICT】

Numerical analysis of MoTe₂ thin film solar cell with Cu₂Te BSF layer

著者 (4件)： Faisal Sakib (Department of Electrical and Electronic Engineering, Islamic University of Technology, Board Bazar, Gazipur-1704, Bangladesh) ,  Rahman Sheikh Ifatur (Department of Electrical and Electronic Engineering, Islamic University of Technology, Board Bazar, Gazipur-1704, Bangladesh) ,  Ahmed Sarwar (Department of Electrical and Electronic Engineering, Islamic University of Technology, Board Bazar, Gazipur-1704, Bangladesh) ,  Dhrubo Tanvir Islam (Department of Electrical and Electronic Engineering, Islamic University of Technology, Board Bazar, Gazipur-1704, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TENCON  ページ： 2342-2346  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クリーンエネルギー源における有質量減少は,増加するエネルギー需要に対応する代替源を探すために世界中の研究者促した。半導体デバイスは,そのようなエネルギー生産デバイスの構築のための重要な役割を果たしている。そのような材料の一つがモリブデンテルル(MoTe_2),改良された細胞安定性と性能を達成するために実行可能な選択肢として出現している。SCAPS-1Dシミュレータは,超薄MoTe_2PVセルの基本性能パラメータ(V_oc,J_sc,FFおよび変換効率)を調べるために数値解析を行った。追加B SF層テルル化銅(Cu_2Te)は効率的で安定した細胞モデルを達成するために吸収体層と背面金属接点の間取込まれた。改良セルモデルは,BSF層のない変換効率15.45%であり,FF=56.69%,V_oc=0.7690およびJ_sc=354.451474mA~2のパラメータを示すベースライン構造と比較して吸収層とB SF層厚さ10nmの1.5μmで29.13%の変換効率,FF=85.26%,V_oc=0.8825V,J_sc=387.139395mA~2のより良い細胞パラメータを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *数値解析 ,  吸収体 ,  基準線 ,  クリーンエネルギー ,  エネルギー需要 ,  半導体素子 ,  シミュレータ
準シソーラス用語： セルモデル ,  細胞モデル ,  変換効率 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 燃料電池  (YB04040V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜太陽電池 ,  数値解析