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J-GLOBAL ID：201802253377716297   整理番号：18A1391292

高配向熱分解グラファイト上の超薄二硫化モリブデン層のイオン媒介成長【JST・京大機械翻訳】

Ion-mediated growth of ultra thin molybdenum disulfide layers on highly oriented pyrolytic graphite

著者 (4件)： Pollmann Erik (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Duisburg-Essen, Duisburg 47048, Germany) ,  Ernst Philipp (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Duisburg-Essen, Duisburg 47048, Germany) ,  Madauss Lukas (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Duisburg-Essen, Duisburg 47048, Germany) ,  Schleberger Marika (Fakultaet fuer Physik, Universitaet Duisburg-Essen, Duisburg 47048, Germany)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 349  ページ： 783-786  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる二次元(2D)材料から成るvan der Waals(vdW)ヘテロ構造は多くの新しいデバイスの中心にある。最も高品質で応用に適したvdWヘテロ構造を調製するために,化学蒸着(CVD)を用いて2D材料を直接上に直接成長させることができ,したがってボトムアップ様式でvdWヘテロ構造を構築することができる。しかし,それらの成長を正確に制御することによって均一な品質の層を得ることは,厳しい挑戦を引き起こす。本研究の目的は,MoS_2-グラフェン界面のモデル系として,高度に配向した熱分解グラファイト(HOPG)上にMoS_2層を選択した成長機構を理解することである。著者らのモデル系において,MoS_2層はHOPGテラス上で成長しないが,HOPG端,一次元欠陥において成長する可能性が高く,成長種子として明らかに作用することを観測した。しかし,グラフェンでは,ステップ端は存在せず,市販のCVDグラフェンの品質改善品質は,単位面積当たりの欠陥が少なく,欠陥が少ない。これは,多くのデバイスに対して明らかに利点があるが,著者らの発見に照らして,vdWヘテロ構造のボトムアップ調製のための主要な欠点を構成する。この障害を克服するために,高荷電イオン照射によりHOPG表面に欠陥を人工的に導入した。この方法で,MoS_2の化学蒸着が起こる前に,準ゼロ次元欠陥の容易に制御可能な数を誘導した。著者らは,この処理がトップHOPGテラス上のMoS_2島成長をもたらすことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 一次元 ,  化学蒸着 ,  二次元 ,  イオン照射 ,  電荷 ,  品質 ,  界面 ,  グラフェン ,  高配向性熱分解グラファイト ,  *グラファイト ,  *熱分解
準シソーラス用語： テラス ,  二層 ,  ボトムアップ ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高荷電イオン ,  MOS_2 ,  化学的VAPOUR堆積 ,  高配向熱分解グラファイト ,  2D材料 ,  van der Waalsヘテロ構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配向 ,  熱分解 ,  グラファイト ,  二硫化モリブデン ,  イオン ,  成長