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J-GLOBAL ID：201802253553031031   整理番号：18A0135699

ジベンゾチオフェンの金属-有機錯体に基づく単一電子トランジスタの第一原理研究【Powered by NICT】

First principle study of single electron transistor based on metal-organic complex of dibenzothiophene

著者 (3件)： Anu (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India) ,  Srivastava Anurag (Advanced Material Research Group, CNT Lab, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management, Gwalior 474015, India) ,  Khan Mohd. Shahid (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 53  ページ： 227-234  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジベンゾチオフェンの金属(クロム(Cr),およびタングステン(W))-有機錯体に基づく単一電子トランジスタ(SET)のCoulombブロッケード領域における第一原理計算を研究した。SETsのモデル化を密度汎関数理論(DFT)および非平衡Green関数(NEGF)の第一原理展望を用いて実施した。ソース-ドレインバイアスとゲート電圧への電荷安定性およびコンダクタンス依存性はチオール末端チオフェン,チオール末端ジベンゾチオフェン,Cr-錯体とW錯体チオール末端ジベンゾチオフェンのを分析した。単離とSET環境の充電エネルギーと付加エネルギーの検討を行った。電荷安定性図(CSD)とゲート電圧に対する全エネルギーの変化に基づく解析は,SET環境高速スイッチング有機金属SETでチオール末端ジベンゾチオフェン島のW複合体の著しく改善されたコンダクタンスを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  *錯体 ,  スイッチング ,  有機金属化合物 ,  *単一電子トランジスタ ,  複合体 ,  密度汎関数法 ,  *第一原理 ,  Coulombブロッケード ,  モデリング ,  コンダクタンス ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  非平衡Green関数 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属-有機錯体 ,  単一電子トランジスタ(SET) ,  帯電エネルギー ,  電荷安定性ダイアグラム(CSD)

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： ジベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： ジベンゾチオフェン ,  錯体 ,  単一電子トランジスタ ,  第一原理 ,  研究