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J-GLOBAL ID：201802253568196452   整理番号：18A0910863

(100)Siオンインシュレータ基板におけるナノSiC領域の形成:フォトルミネッセンス強度向上のためのホットC⁺イオン注入プロセスの最適化

Nano-SiC region formation in (100) Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C⁺-ion implantation process to improve photoluminescence intensity

著者 (7件)： MIZUNO Tomohisa (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  OMATA Yuhsuke (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  KANAZAWA Rikito (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  IGUCHI Yusuke (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  NAKADA Shinji (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  AOKI Takashi (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  SASAKI Tomokazu (Toshiba Nanoanalysis Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FB03.1-04FB03.9  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プリント基板 ,  *炭化ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  スペクトルシフト ,  X線光電子分光法 ,  シミュレーション ,  *トモグラフィー ,  *SOI基板 ,  Ramanシフト ,  モンテカルロシミュレーション
準シソーラス用語： *原子プローブトモグラフィー

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  インシュレータ基板 ,  SiC ,  フォトルミネッセンス ,  強度向上 ,  C+ ,  イオン注入 ,  プロセス ,  最適化