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J-GLOBAL ID:201802253568196452   整理番号:18A0910863

(100)Siオンインシュレータ基板におけるナノSiC領域の形成:フォトルミネッセンス強度向上のためのホットC+イオン注入プロセスの最適化

Nano-SiC region formation in (100) Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity
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資料名:
巻: 57  号: 4S  ページ: 04FB03.1-04FB03.9  発行年: 2018年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体のルミネセンス 

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