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J-GLOBAL ID：201802253670483073   整理番号：18A1394670

InSe/CdS二重層における誘電分散【JST・京大機械翻訳】

Dielectric dispersion in InSe/CdS bilayers

著者 (3件)： Qasrawi A.F. (Department of Physics, Arab American University, Jenin, Palestine) ,  Qasrawi A.F. (Faculty of Engineering, Atilim University, 06836 Ankara, Turkey) ,  Shehada Sufyan R. (Department of Physics, Arab American University, Jenin, Palestine)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 103  ページ： 151-155  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CdSの構造的,光学的及び誘電的性質に及ぼす非晶質InSe薄膜基板の影響を調べた。二分子層の構造解析は,InSe上へのCdSの歪んだ成長を示し,結晶粒サイズの減少と転位密度の増加をもたらした。光学測定はInSe/CdSが高および低吸収領域においてそれぞれ2.04および1.38eVの二つの直接許容遷移エネルギーバンドギャップ値を示すことを示した。一方,InSe,CdSおよびInSe/CdS層に対する誘電スペクトルの詳細な解析はInSe基板の存在が光伝導パラメータを著しく改善することを示した。特に,これらの誘電体系に対するDrude-LorentzモデリングはInSe/CdS二層に対して329cm~2/Vのドリフト移動度値を明らかにした。InSe上へのCdSの堆積も観測され,CdSのプラズモン周波数を2.49から0.77GHzへシフトさせた。プラズモン共振器としてのInSe/CdSの一般的特徴は,非常に高い周波数で高性能を示す光電子デバイスの生産に対するその有用性を示すので,有望である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  バンドギャップ ,  誘電性 ,  結晶粒径 ,  プラズモン ,  *硫化カドミウム ,  構造解析 ,  モデリング ,  非晶質 ,  周波数 ,  光伝導
準シソーラス用語： 誘電スペクトル ,  *誘電分散 ,  *二重層 ,  *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InSe/CdS ,  光学材料 ,  コーティング ,  誘電特性 ,  Drude-Lorentz

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： InSe ,  CdS ,  重層 ,  誘電分散