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J-GLOBAL ID：201802253759409459   整理番号：18A0078709

マルチシェル量子ドットの光学的性質に及ぼす電場および不純物の効果【Powered by NICT】

The effect of electric field and impurity on the optical properties of multishell quantum dots

著者 (2件)： Holovatsky V.A. (Chernivtsi National University after Yuriy Fed’kovych, Chernivtsi, Ukraine) ,  Yakhnevych M.Y. (Chernivtsi National University after Yuriy Fed’kovych, Chernivtsi, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NAP  ページ： 04NESP09-1-04NESP09-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二井戸球状量子ドットGaAs/AlxGa1_1xAs/GaAsにおける電子バンド内量子遷移のエネルギーと振動子強度に対する一定電場およびドナー不純物の影響を研究した。問題を有効質量近似と電場なしナノ構造における完全な電子波動関数拡張法波動関数を用いた矩形ポテンシャル井戸と障壁モデルの枠内で解いた。電場の影響下で基底状態電子が外部へ内部ポテンシャルからトンネル,ことを示した。バンド内量子遷移の振動子強度に影響を与える。不純物イオンと電子の結合エネルギーは不純物の異なる位置での電場強度の関数として求めた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  *電場 ,  ナノ構造 ,  振動子強度 ,  ドナー ,  基底状態 ,  電界強度 ,  *不純物 ,  量子遷移 ,  *光学的性質 ,  波動関数 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 不純物イオン ,  内部ポテンシャル ,  有効質量近似 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチ ,  シェル ,  量子ドット ,  光学的性質 ,  電場 ,  不純物