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J-GLOBAL ID：201802253769447818   整理番号：18A0515821

Subdecaナノメートル高性能技術ノードのためのゲルマナンMOSFET【Powered by NICT】

Germanane MOSFET for Subdeca Nanometer High-Performance Technology Nodes

著者 (5件)： Brahma Madhuchhanda (Department of Electronic Systems Engineering, Centre for Nano Science and Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India) ,  Bescond Marc (IM2NP UMR Centre National de la Recherche Scientifique 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France) ,  Logoteta Demetrio (IM2NP UMR Centre National de la Recherche Scientifique 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France) ,  Ghosh Ram krishna (Special Centre for Nanoscience, Jawaharlal Nehru University, New Delhi, India) ,  Mahapatra Santanu (Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 3  ページ： 1198-1204  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層Germanane MOSFETにおけるバリスティック輸送は,高性能(HP)応用のために研究した。7 5,および3nmのチャネル長を持つ両nおよびp型トランジスタの特性は,2028の半導体(ITRS)ターゲットのための国際技術ロードマップに対する研究と比較した。シミュレーションアプローチを,非平衡Green関数形式の枠内での自己無撞着な量子バリスティック輸送モデルに基づいており,nおよびp型チャネルのための単一バンドと二バンドk.pハミルトニアンに依存した。,ゲート長3nmまでのスケールであっても,固定オフ電流I_OFF=100nA/μmのnおよびp-MOSFETにおけるオン電流(I_ON)である~890と700μA/μmと高いことが分かった。より長いチャネル長では,p-MOSFETはI_ON要件の観点からn-MOSFETより性能が優れていることができ,直接ソース-ドレイントンネルが抑制された。ゲート容量,固有スイッチング遅延,およびスイッチングエネルギーを含む他の性能基準も計算し,ITRS2028HP技術要求に匹敵することが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  単一層 ,  *MOSFET ,  半導体 ,  バリスティック輸送 ,  ハミルトニアン ,  電流 ,  チャネル
準シソーラス用語： ゲート容量 ,  オフ電流 ,  ゲート長 ,  非平衡Green関数 ,  技術ロードマップ ,  ITRS ,  チャネル長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  ノード ,  MOSFET