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J-GLOBAL ID：201802254196110023   整理番号：18A0954510

新規製造現場での基盤技術 光電気化学反応を利用した半導体の低損傷加工と高精度エッチング技術

著者 (1件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： ケミカルエンジニヤリング  (Chemical Engineering (Tokyo))
巻： 63  号： 6  ページ： 399-405  発行年： 2018年06月01日 
JST資料番号： F0134A  ISSN： 0387-1037  CODEN： CMNGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・光電気化学反応を利用した窒化物半導体に対する電気化学エッチングを実施した電子デバイスへの応用事例の紹介。
・電解液と半導体界面の化学反応を利用するウェットプロセスの利点を活かした半導体表面に与える損傷の抑制および光電気化学条件によるエッチング量の精密制御。
・Al_0.25Ga_0.75N/GaNヘテロ結合を有する試料と3極式電気化学セルの使用および電解液と半導体界面の陽極酸化反応の利用。
・試作したAlGaN/GaNリセスゲートHEMTの作製および層厚8nmまで薄層化されたHEMTのI_ds-V_ds特性の測定。
・明瞭なピンチオフ特性および飽和電流特性の確認および22.5Ω-mmのON抵抗の評価。

シソーラス用語： 光電気化学反応 ,  *化合物半導体 ,  ウェットエッチング ,  *エッチング ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  HEMT ,  アノード酸化
準シソーラス用語： *窒化物半導体 ,  *光電気化学エッチング ,  リセス構造 ,  陽極酸化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 製造現場 ,  基盤技術 ,  光電気化学反応 ,  損傷 ,  エッチング