文献

J-GLOBAL ID：201802254246636683   整理番号：18A0537990

相補SiGeによる低電力VCSELドライバ:C BiCMOS技術【Powered by NICT】

A low-power VCSEL driver in a complementary SiGe:C BiCMOS technology

著者 (3件)： Ko Minsu (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Ulusoy Ahmet Cagri (ECE Department, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA) ,  Kissinger Dietmar (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SiRF  ページ： 45-47  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pnpトランジスタ用のnpnおよび95/140GHzの110/180GHzのf_T/f_maxと相補的な0.25μm SiGe:C BiCMOS技術を用いて作製した一般的なカソード垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)のためのドライバICを提示した。出力段の能動負荷としてpnpトランジスタを利用して,運転者は低電力と高速動作を示し,3/3mAのバイアス/変調電流を駆動する160Q VCSEL等価回路にわずか33.8mWを消費し,40Gbpsまで明確な電気眼球図を示した。著者の知る限り,0.84pJの報告されたエネルギー効率は他の最新の共通カソードVCSELドライバと比較して最良である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： カソード ,  エネルギー効率 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  眼球 ,  等価回路 ,  電流 ,  *BiCMOS ,  バイアス
準シソーラス用語： ドライバIC ,  *低電力化 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  低電力 ,  VCSEL ,  ドライバ ,  BiCMOS