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J-GLOBAL ID：201802254249356917   整理番号：18A2071389

熱衝撃条件下でのアルミニウム-シリコン構造の接触融解【JST・京大機械翻訳】

Contact Melting of Aluminum-Silicon Structures under Conditions of Thermal Shock

著者 (3件)： Skvortsov Arkady A. (Moscow Polytechnic University, Department of Dynamics, Durability of Machines and Resistance of Materials; 38 Bolshaya Semenovskaya Str., Moscow, Russian Federation, 107023) ,  Zuev Sergey M. (Moscow Polytechnic University, Department Electrical Equipment and Industrial Electronics; 38 Bolshaya Semenovskaya Str., Moscow, Russian Federation, 107023) ,  Koryachko Marina V. (Moscow Polytechnic University, Department of Physics; 38 Bolshaya Semenovskaya Str., Moscow, Russian Federation, 107023)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 771  ページ： 118-123  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン単結晶基板上に堆積したアルミニウム膜であるAl-Si系における接触融解の研究を行った。アルミニウム膜を通過する高密度電流(j>8.1010A/m2)のインパルス作用を解析した。システムにおける考慮した電気熱負荷の下では,溶融アルミニウムゾーンの出現とその後の金属-半導体システムにおける接触融解に関連する劣化プロセスが発達することが分かった。接触融解過程の解析から,考慮した系における多相拡散係数を推定する技術は,薄いアルミニウム膜単結晶シリコン基板である。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱負荷 ,  電流 ,  多相 ,  拡散係数 ,  *アルミニウム ,  *熱衝撃 ,  半導体
準シソーラス用語： 高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 融液 ,  多相拡散 ,  電流パルス ,  光電子増倍管 ,  光電乗算器

分類 (5件)： ゴム  (YH07020M) ,  鍛造技術  (WC05020H) ,  性質・試験一般  (YH02010S) ,  医用素材  (GA05040H) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱衝撃 ,  アルミニウム ,  シリコン ,  融解