文献

J-GLOBAL ID：201802254301600329   整理番号：18A0705958

鉛フリー強誘電体セラミックにおける荷電磁壁の実験的証拠:光駆動ナノドメインスイッチング【JST・京大機械翻訳】

Experimental evidence of charged domain walls in lead-free ferroelectric ceramics: light-driven nanodomain switching

著者 (9件)： Rubio-Marcos Fernando (Electroceramic Department, Instituto de Ceramica y Vidrio, CSIC, Kelsen 5, 28049 Madrid, Spain. [e-mail]) ,  Del Campo Adolfo ,  Rojas-Hernandez Rocio E. ,  Ramirez Mariola O. ,  Parra Rodrigo ,  Ichikawa Rodrigo U. ,  Ramajo Leandro A. ,  Bausa Luisa E. ,  Fernandez Jose F.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 2  ページ： 705-715  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータレベルでの強誘電磁壁の制御は,新しい界面特性と機能性をもたらす。特に,荷電磁壁,CDWの理解は将来のナノ電子研究のフロンティアにある。多くの効果が単結晶や薄膜のような理想的な原型に対して実証されているが,多結晶強誘電体上のCDWの類似の制御は達成されていない。ここでは,無鉛(K,Na)NbO_3多結晶系上の荷電磁壁の存在を明確に示した。共焦点Raman顕微鏡と第二高調波発生顕微鏡により,CDWsの出現をその場観察した。CDWは各ドメイン内で内部歪勾配を生成する。特に,異方性歪は,(K,Na)NbO_3セラミックにおける光の偏光とナノドメインの強誘電分極の間の結合により,強誘電分域スイッチングにおける重要な部分を発達させる。この効果は光偏光角による強誘電分域スイッチングの同調をもたらす。これらの結果は,強誘電分域スイッチング過程における荷電磁壁の関連性を理解し,多結晶強誘電体を用いた遠隔光制御による磁壁ナノエレクトロニクスの開発を容易にする。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スイッチング ,  光制御 ,  偏光 ,  *強誘電体 ,  強誘電分域 ,  *磁壁 ,  異方性 ,  多結晶 ,  *セラミック ,  *電荷 ,  単結晶 ,  薄膜
準シソーラス用語： 強誘電分極 ,  *ナノドメイン ,  *ドメイン構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 鉛フリー ,  強誘電体セラミック ,  荷電 ,  磁壁 ,  実験 ,  証拠 ,  光駆動 ,  ドメインスイッチング