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J-GLOBAL ID:201802254305417922   整理番号:18A1802735

Au/p-Si/Al太陽電池の光起電力特性を促進するためのAuナノ粒子ドープSiO_2界面層【JST・京大機械翻訳】

Au-nanoparticles doped SiO2 interfacial layer to promote the photovoltaic characteristics of Au/p-Si/Al solar cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 767  ページ: 1271-1281  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Au/Au(NPs)ドープSiO_2/p-Si/Alヘテロ接合太陽電池を達成した。SiO_2の界面絶縁層を,熱蒸着法を用いてp-Si(111)ウエハ上に成長させることに成功した。Auナノ粒子(20~85nmの範囲のNPs)は,フラッシュ蒸発法を用いてSiO_2膜の非晶質マトリックス構造上に良く分散した。膜の構造形態を電界放出走査電子顕微鏡を用いて調べた。太陽電池のインピーダンス分光法のいくつかの側面を研究し,それを考慮した。細胞の複素インピーダンスに対するNyquistスペクトルを種々の周波数(100kHz~3MHz)で記録した。Nyquistプロットの半円の半径は周波数の増加とともに減少した。容量-電圧(C-V)とコンダクタンス-電圧(G-V)特性を測定した。ヘテロ接合セルは特定の周波数で負の静電容量挙動を示した。さらに,暗所と照明下での電流-電圧(I-V)特性も研究し,太陽電池を通る電子輸送機構を評価した。理想因子,障壁高さキャリア,直列およびシャント抵抗などの接合のいくつかの重要なパラメータをI-V曲線から抽出した。Au(NPs)ドープSiO_2/p-Si太陽電池の光起電力挙動を評価し,良好な性能を示した。開回路電圧,短絡電流,曲線因子および変換効率のような作製した太陽電池の光起電力パラメータを,それぞれ0.46V,5.4mA,0.68および5.28%と計算した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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