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J-GLOBAL ID：201802254350312316   整理番号：18A0825033

オーディオ級D増幅器のためのGaNパワーステージのEMIシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

EMI simulation of GaN power stage for audio class D amplifiers

著者 (4件)： Gedz Olga (Faculty of Electronics, Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute, Kyiv, Ukraine) ,  Lazebnyi Volodymyr (Faculty of Electronics, Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute, Kyiv, Ukraine) ,  Onikienko Yuri (Faculty of Electronics, Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute, Kyiv, Ukraine) ,  Vlasjuk Anna (Faculty of Electronics, Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute, Kyiv, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： TCSET  ページ： 204-207  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハーフブリッジGaN EPC9062100V/20A開発ボードを研究した。導電性電磁干渉(EMI)を,内蔵Multisim SPICEライブラリ構成要素の使用により,30MHzまでの範囲でシミュレーションした。結果として,低周波帯におけるシミュレーションと実験データの間に区別が観察された。この違いの理由は,シミュレーションモデルがトランジスタのターンオン時にドレイン電流の顕著なスパイクを生み出し,実際には観測されないことである。シミュレーションモデルを完成した後,実験結果とシミュレーション結果はよく一致した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  ターンオン ,  電磁干渉 ,  *増幅器 ,  LF【周波数】 ,  シミュレーションモデル ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  導電性 ,  *オーディオ機器
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  内蔵 ,  ハーフブリッジ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： オーディオ ,  増幅器 ,  GaN ,  パワー ,  ステージ ,  EMI ,  シミュレーション