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J-GLOBAL ID:201802254559588974   整理番号:18A0488081

InN/In-Ga-N量子ドット中間バンド太陽電池の光起電力変換効率【Powered by NICT】

Photovoltaic conversion efficiency of InN/In Ga N quantum dot intermediate band solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 534  ページ: 10-16  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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InN/In_Ga_N球形量子ドット太陽電池の挙動を調べ,接合の偏光により誘起された内部電場を考慮している。中間バンド(IB)の位置を決定するために,球面座標における3次元時間依存Schroedinger方程式を解くための差分有限要素法に基づく効率的な数値法を提示した。空間方向にn離散点を考慮した時には,その結果生じるn×nハミルトニアン行列をエネルギー準位を計算するために対角化した。,バンド間及びサブバンド間遷移を決定し,QD-IBSCのエネルギー準位,光学遷移,光発生電流密度,開回路電圧および電力変換効率に及ぼす内部電場,サイズドット,ドット間距離,インジウム含有量の影響を考慮に入れた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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光物性一般  ,  半導体結晶の電子構造 

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