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J-GLOBAL ID:201802254585047642   整理番号:18A1346652

スマートテキスタイル用の繊維上の酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Oxide Thin-Film Transistors on Fibers for Smart Textiles
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 31  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7284A  ISSN: 2227-7080  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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スマート織物は将来のウェアラブルデバイスに大きな影響を持つことが期待される。電子機能性と織物を組み合わせるための異なるアプローチの中で,活性繊維の製造は,エレクトロニクスと繊維製造装置の間の最も不完全な統合と最適な互換性をもたらす。電子デバイスの作製,特に,非常に湾曲した温度敏感で粗い織物繊維上のトランジスタは,標準的なクリーンルーム技術を用いて容易に達成できない。したがって,著者らは,125μmまでの直径を示すポリマー,綿,金属およびガラスから作られた種々の製造技術および複数の繊維を評価した。ベンチマーク技術は低温シャドウマスクプロセスを用いた薄膜構造の直接作製と薄い(≒1μm)柔軟性高分子膜上に作製した薄膜トランジスタ(TFT)の移動を含む。両方のアプローチにより,動作デバイスの作製が可能になり,特に転写法は完全に機能的なトランジスタファイバをもたらし,オン-オフ電流比>107,閾値電圧≒0.8V,および電界効果移動度は7Cm2V-1s-1を超えた。最後に,最も有望な製造法を用いて,織物繊維にInGaZnO TFTで機能化した市販ナイロン繊維を統合した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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