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J-GLOBAL ID：201802254629308893   整理番号：18A1616418

Bi/Sb平面およびバックルハニカム単分子層におけるトポロジカル相【JST・京大機械翻訳】

Topological phases in Bi/Sb planar and buckled honeycomb monolayers

著者 (10件)： Nouri N. (Department of Theoretical Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Nouri N. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan 81746-73441, Iran) ,  Bieniek M. (Department of Theoretical Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Brzezinska M. (Department of Theoretical Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Modarresi M. (Laboratory of Organic Electronics, Department of Science and Technology, Linkoping University, 60174 Norrkoping, Sweden) ,  Modarresi M. (Department of Physics, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran) ,  Zia Borujeni S. (Department of Mathematics, Tehran Central Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Rashedi Gh. (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Isfahan, Isfahan 81746-73441, Iran) ,  Wojs A. (Department of Theoretical Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, 50-370 Wroclaw, Poland) ,  Potasz P. (Department of Theoretical Physics, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 382  号： 40  ページ： 2952-2958  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板上に自立及び堆積させた平面及び湾曲構造を考慮した二次元Bi/Sbハニカム結晶のトポロジー相を調べた。多軌道強束縛モデルを用い,結果を密度汎関数理論計算と比較した。トポロジー不変量を計算し,リボン形状における系のエッジ状態特性を解析し,それらのもつれスペクトルを研究することにより,位相を識別した。基板への結合がZ2トポロジー絶縁体相への転移を誘起することを示した。平面結晶に見られるトポロジカル結晶絶縁体(TCI)相はエネルギースペクトルともつれスペクトルの両方に付加的なエッジ状態を示すことが観測された。TCI相に対する輸送計算は,結晶対称性破壊無秩序の存在下でも,ロバストな量子化コンダクタンスを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  *単分子層 ,  スペクトル ,  基板 ,  エネルギー分布 ,  ロバスト性 ,  *アンチモン ,  計算 ,  結晶 ,  位相 ,  *ビスマス ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  強束縛モデル ,  湾曲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  ビスマス ,  アンチモン

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Bi ,  Sb ,  単分子層 ,  トポロジカル相