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J-GLOBAL ID：201802254685813786   整理番号：18A0651191

多熱源合成炭化ケイ素の温度場と圧力場の変化則に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Change Law of Temperature and Pressure Field Synthesis Silicon Carbide by Multi-heat-source

著者 (5件)： Li Yang (陜西鉄路工程職業技術学院,渭南,714000) ,  Chen Jie (西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054) ,  Wang Xuyang (西北工業大学凝固技術国家重点実験室,西安,710072) ,  Wang Fei (陜西鉄路工程職業技術学院,渭南,714000) ,  Wang Xiaogang (西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054)
資料名： Guisuanyan Tongbao  (Guisuanyan Tongbao)
巻： 36  号： 10  ページ： 3498-3503  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2439A  ISSN： 1001-1625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 多熱源と単一熱源合成炉内の温度場と圧力場を数値シミュレーションと工業実験により解析し,二つの合成炉の温度と圧力の変化則を調べた。結果により、多熱源のエネルギー重ね合わせ効果により、炭化ケイ素合成に適する温度領域は単熱源より明らかに高く、かつ分散した熱源はエネルギーの集中を避け、炭化ケイ素の分解量を減少させ、同時に二種類の合成炉圧力分布図から見ることができる。単一熱源炉内の圧力が最高1.525×101kPaである場合には、噴射炉事故が発生しやすく、多熱源の最高圧力は1.256×101kPaであり、この圧力に比べ、合成プロセスの安定性を保証できる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 重合せ ,  *熱源 ,  噴射 ,  *温度場 ,  *炭化ケイ素 ,  分布図 ,  温度範囲 ,  数値シミュレーション ,  *圧力場 ,  *場

著者キーワード (4件)： multi-heat-source ,  silicon carbide ,  temperature field ,  pressure field

分類 (2件)： 地下ガス化  (UA05110X) ,  対流・放射熱伝達  (PA02030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱源 ,  炭化ケイ素 ,  温度場 ,  圧力場 ,  研究