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J-GLOBAL ID：201802254692219165   整理番号：18A0848318

直列積層GaNモジュールを用いた中電圧DC船舶電力系統のための全GaN双方向DC-DCコンバータの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of an all-GaN bidirectional DC-DC converter for medium voltage DC ship power systems using series-stacked GaN modules

著者 (3件)： Shojaie Mehdi (Energy Systems Research Laboratory, Florida International University, Miami, FL, USA) ,  Elsayad Nour (Energy Systems Research Laboratory, Florida International University, Miami, FL, USA) ,  Mohammed O. A. (Energy Systems Research Laboratory, Florida International University, Miami, FL, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： APEC  ページ： 2155-2161  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧増強モードのガリウム窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)に基づくモジュールを,中電圧船上電力システム応用のために提示した。集積準能動ゲートドライバを持つ直列積層横方向増強モードGaN HEMTは,提案したGaNモジュールの基礎である。この構造は,すべてのデバイスを制御するために,受動部品とただ一つのゲートドライバから構成されている。試験結果は,提案したゲート制御器を用いたスイッチング遷移中の2つのデバイスのドレイン-ソース電圧の間のゲート電圧の許容できる同期とその結果としての小さな遅延を示した。提案したGaNモジュールを用いて,船舶に搭載する中電圧と低電圧バスの間のインタフェイスとして使用できる双方向ブーストコンバータの応用を実証した。シミュレーションと試験結果はアイデアを検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  スイッチング ,  *変換器 ,  HEMT ,  *窒化ガリウム ,  インタフェイス ,  *電力系統 ,  *船舶
準シソーラス用語： ブーストコンバータ ,  低電圧 ,  ゲート電圧 ,  ゲート制御 ,  受動素子 ,  GaN HEMT ,  *中電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 直列 ,  GaN ,  モジュール ,  中電圧 ,  DC ,  船舶 ,  電力系統 ,  双方向DC-DCコンバータ ,  設計