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文献
J-GLOBAL ID:201802254758600180   整理番号:18A1948659

導電性高分子薄膜におけるスピン緩和機構

著者 (1件):
資料名:
号: 31  ページ: 104-109  発行年: 2018年10月01日 
JST資料番号: L7828A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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・ホッピング伝導を示す高ドープされた有機半導体であるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4-スチレンスルホナート)(PEDOT:PSS)薄膜のスピン拡散長,スピン緩和時間,拡散係数の測定法の開発。
・スピン拡散長を計測する素子とスピン流のポンピング法によるPEDOT:PSSへの注入およびスピン流の計測。
・ESR測定によるスピン緩和時間の計測および三層構造を用いた電気伝導率測定。
・パーマロイ(Py)/PEDOT:PSS/Pt三層膜における強磁性共鳴信号およびスピンポンピング素子におけるPtの起電力の磁場角度依存性,PEDOT:PSSキャスト膜におけるESR信号,抵抗率の温度依存性の測定結果。
・スピンおよび電荷の伝導測定から得られるスピン緩和時間とESRから得られるT1の良好な対応およびスピン拡散長がホッピング長よりも長いという結果。
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分類 (2件):
分類
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高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物のEPR 
引用文献 (22件):
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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