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J-GLOBAL ID：201802254762359667   整理番号：18A1150672

磁気遮蔽によるSTT-MRAMの磁気免疫の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancing Magnetic Immunity of STT-MRAM with Magnetic Shielding

著者 (9件)： Bhushan Bharat ,  Guan Lim Teck ,  Shum Danny ,  Ching Eva Wai Leong ,  Jung Boo Yang ,  Lim Wei Yi ,  Yi Wanbing ,  Poh Francis ,  Tan Juan Boon
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直スピン移動トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(ST-MRAM)のためのパッケージレベルの磁気遮蔽の設計,モデリング,製作および特性化を含む最初の磁気遮蔽研究を示した。磁気遮蔽により,印加外部垂直磁場に対するST-MRAMの磁気免疫が3倍改善された。それは,500Oeの外部垂直磁場において4桁以上のビット誤り率を改善し,ECCがない。MTJに対して1mmの保持ゾーンをモデル化し,0.7mmのワイヤ結合窓開口に対応した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  キャラクタリゼーション ,  開口 ,  金属線 ,  *磁気 ,  *磁気遮蔽
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  垂直磁場 ,  印加電圧 ,  ReRAM ,  スピントルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気遮蔽 ,  STT-MRAM ,  磁気 ,  免疫 ,  増強