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J-GLOBAL ID：201802254894338127   整理番号：18A0438767

ダブルゲートa-InGaZnO薄膜トランジスタにおける弱い局在化と弱い反局在【Powered by NICT】

Weak Localization and Weak Antilocalization in Double-Gate a-InGaZnO Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Wang Wei-Hsiang (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Heredia Elica (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Lyu Syue-Ru (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Liu Shu-Hao (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Liao Po-Yung (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Jiang Pei-hsun (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 2  ページ： 212-215  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲート非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのゲート電圧の変化による弱局在(WL)と弱い反局在化(WAL)間の競合を制御することにより量子干渉の操作を実証した。チャネル伝導率に及ぼすそれぞれのWLとWAL寄与の興味ある普遍的な依存性の完全なプロファイルを明らかにした。この普遍性は,界面不規則性に対してロバストであることを発見した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *薄膜トランジスタ ,  チャネル ,  ロバスト性 ,  非晶質 ,  普遍性
準シソーラス用語： 不規則性 ,  伝導率 ,  量子干渉 ,  ゲート電圧 ,  *反局在 ,  *弱局在 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダブルゲート ,  トランジスタ ,  弱い局在 ,  反局在