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J-GLOBAL ID：201802254971772430   整理番号：18A0446692

光短期可塑性を有する室温2次元メモリスタトランジスタ【Powered by NICT】

Room temperature 2D memristive transistor with optical short-term plasticity

著者 (5件)： Xie Xuejun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA) ,  Kang Jiahao (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA) ,  Gong Yongji (Department of Materials Science and Nanoengineering, Rice University, Houston, TX) ,  Ajayan Pulickel M. (Department of Materials Science and Nanoengineering, Rice University, Houston, TX) ,  Banerjee Kaustav (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 5.3.1-5.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短期可塑性(STP),ゲート可同調性,可制御性,および光感受性を持つメモリスタ(記憶抵抗)デバイスは広い範囲の応用に対する関心が高まっている,特にニューラルネットワークを模倣した。しかし,室温でタンデムにおけるすべての目標を達成できることをメムリスティブ素子をされていない。空隙を埋めるために,本研究では,乱流長スケール相量子ドット超格子は,集束電子ビーム照射による2H相単分子層単結晶二硫化モリブデン(MoS_2)バックゲート電界効果トランジスタを作成した。量子ドットはメモリスタ抵抗を誘導する電荷トラップとして作用する。メモリスタ抵抗はゲートバイアスを印加することにより制御することができ,光刺激に対するSTPを示した。このように,本研究は人工知能のための人工網膜素子,光学的-電気的神経形態学的界面のためのメムリスティブ受信機として役立つことを最初に室温光感受性メムリスティブトランジスタを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子照射 ,  *二次元 ,  可制御性 ,  単分子層 ,  量子ドット ,  ニューラルネットワーク ,  界面 ,  *塑性 ,  FET【トランジスタ】 ,  単結晶 ,  光刺激
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  二硫化モリブデン ,  *メモリスタ ,  光感受性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 脳・神経系モデル  (EL02050C) ,  ロボットの運動・制御  (IC04012J) ,  人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短期 ,  可塑性 ,  室温 ,  2次元 ,  メモリスタ ,  トランジスタ