文献
J-GLOBAL ID:201802255002944925   整理番号:18A0338495

可溶性n型フタロシアニン半導体に基づいた高感度室温NO_2センサ【Powered by NICT】

High-sensitive room-temperature NO2 sensor based on a soluble n-type phthalocyanine semiconductor
著者 (6件):
資料名:
巻: 77  ページ: 18-22  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1585A  ISSN: 1387-7003  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
2(3),9(10),16(17),23(24)-テトラキス(2,2,2-トリフルオロエトキシ)フタロシアニンH_2Pc(OCH_2CF_3)4(1)は,MALDI-TOF MS,~1H NMR,UV-visスペクトル及び示差パルスボルタンメトリーを用いて特性化合成した。著者らの研究は,十分な溶解性と適切なLUMOエネルギー準位を確実にし,このようにして可溶性n型有機半導体を成功裡に実現フタロシアニン環の周辺に四電子吸引性トリフルオロエトキシ置換基を導入することによりこれを検討した。H_2Pc(OCH_2CF_3)4は高い結晶性と大きな比表面積だけでなく,簡単な溶液ベースの準Langmuir-Shaefer(QLS)法で作製した固体薄膜での良好な伝導率を示した。重要なことに,100 500ppb範囲で電子受容性ガスNO_2に高度に敏感で,安定で再現性のある応答を室温で1のQLS膜で観察され,実用的な環境への応用のためのNO_2センサとして1の優れた可能性を意味している。添加では,1のQLS膜の応答はNO_2濃度に直線的に相関した。異なる濃度のH_2Pc(OCH_2CF_3)4膜とNO_2分子間の相互作用は一次反応速度動力学に従うことが分かった。本研究の結果は,溶液ベースの方法によって得たn型フタロシアニンNO_2センサの最初の例であるのみならず,より重要なことにセンシングデバイス製造の分野における可溶性n-チャネル有機半導体を得るための分子設計のための新しい戦略を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  ,  白金族元素の錯体  ,  第11族,第12族元素の錯体 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る