{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201802255066679414   整理番号:18A1790642

Si(110)上のボイド周辺におけるSiO2還元反応領域の特徴付け

Characterization of SiO2 reduction reaction region at void periphery on Si(110)
著者 (7件):
資料名:
巻: 57  号: 8S1  ページ: 08NB13.1-08NB13.4  発行年: 2018年08月
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の表面構造  ,  顕微鏡法  ,  反応操作(単位反応) 
引用文献 (19件):
  • A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
  • D. Jones and V. Palermo, Appl. Phys. Lett. 80, 673 (2002).
  • K. E. Johnson, P. K. Wu, M. Sander, and T. Engel, Surf. Sci. 290, 213 (1993).
  • H. Watanabe, K. Fujita, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 70, 1095 (1997).
  • K. E. Johnson and T. Engel, Phys. Rev. Lett. 69, 339 (1992).
もっと見る

前のページに戻る