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J-GLOBAL ID：201802255109101473   整理番号：18A0407887

各種活性キャパシタを持つ2T1次元メモリセルの解析【Powered by NICT】

Analysis of 2T 1D memory cell with various active capacitors

著者 (3件)： Gupta Tanisha (ECE Deptt., Medi-Caps University Indore, India) ,  Naik Pankaj (ECE Deptt., Medi-Caps University Indore, India) ,  Mani Tripathi Kamlesh (Govt. poly. College, Aurai, Bhadohi, UP, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICICIC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1個のダイオードを用いた二トランジスタDRAMセル形態を設計し解析した。メモリセルにおけるダイオードの挿入は,メモリ読出しおよび書込み動作における即興演奏を得るためにキャパシタの要求を満足した。nmosとpmos両トランジスタを用いて,二種類の貯蔵キャパシタのゲートと接合実装した。関連細胞はそれらの読み出しアクセス時間,書き込みアクセス時間,保持時間および電力消費に基づいて比較した。すべての設計とシミュレーション研究は,Tanner EDAツール上で行った。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 保持時間 ,  DRAM ,  トランジスタ ,  *記憶装置 ,  接合 ,  呼出時間 ,  シミュレーション ,  ダイオード ,  *記憶素子 ,  電力消費 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： 即興演奏 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 活性 ,  キャパシタ ,  メモリセル ,  解析