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J-GLOBAL ID：201802255114304388   整理番号：18A0879136

化学気相堆積法による窒化ホウ素ナノチューブの研究進展:反応装置,ガス源材料,触媒【JST・京大機械翻訳】

A Review of Chemical Vapor Deposition for Synthesis of Boron Nitride Nanotubes: Reaction Devices, Vapor Sources and Catalysts

著者 (6件)： Long Xiaoyang (武漢科技大学耐火材料与冶金国家重点実験室,武漢430081;中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所,蘇州215000) ,  E Songfeng (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所,蘇州,215000) ,  Li Chaowei (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所,蘇州,215000) ,  Li Taotao (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所,蘇州,215000) ,  Wu Juan (武漢科技大学耐火材料与冶金国家重点実験室,武漢,430081) ,  Yao Yagang (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所,蘇州,215000)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 31  号： 19  ページ： 19-27  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 窒化ホウ素ナノチューブ(BNNTs)は優れた耐高温、抗酸化、輻射防止、絶縁と熱伝導の性能を持ち、そのため、航空宇宙、輻射遮蔽、熱界面材料及び深紫外発光などの領域で潜在的な応用の将来性がある。しかし、高品質BNNTsの制御可能調製と大量生産は依然として学術と工業界の重大な挑戦である。BNNTsの多くの調製方法の中で、化学気相堆積法(CVD)は最も潜在力のある制御方法の一つである。しかし、科学者たちはCVD法のBNNTsの触媒メカニズムと影響要素に対して共通認識を形成していない。このため、本文では、反応装置、窒素源、ホウ素源と触媒の4つの面からCVD法のBNNTsについて総括し、そして相応の規律を系統的にまとめた。これに基づいて,BNNTsの制御可能な調製における既存の問題を分析し,BNNTsの制御調製におけるCVD法の役割を展望し,今後のBNNTsの調製に役立てた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光 ,  熱伝導 ,  *反応器 ,  *ホウ素 ,  *化学蒸着 ,  大量生産 ,  高温 ,  *触媒 ,  酸化防止 ,  制御方式
準シソーラス用語： 窒素源 ,  高品質 ,  深紫外線 ,  熱界面材料 ,  *窒化ホウ素ナノチューブ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： boron nitride nanotube ,  chemical vapor deposition ,  boron source ,  catalyst

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学気相堆積 ,  窒化ホウ素ナノチューブ ,  研究 ,  進展 ,  反応装置 ,  ガス源 ,  触媒