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J-GLOBAL ID：201802255280690451   整理番号：18A1489830

高電場にさらされた二次元電子ガスの高周波伝導率の空間分散:無衝突の場合【JST・京大機械翻訳】

Spatial dispersion of the high-frequency conductivity of two-dimensional electron gas subjected to a high electric field: Collisionless case

著者 (4件)： Korotyeyev V. V. (Department of Theoretical Physics, Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Kochelap V. A. (Department of Theoretical Physics, Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Danylyuk S. (Chair for the Technology of Optical Systems, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany) ,  Varani L. (Institute of Electronics and Systems, UMR CNRS 5214, University of Montpellier, Montpellier, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 4  ページ： 041102-041102-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電場を受ける二次元電子ガス(2DEG)の空間分散σ(ω,q)による高周波(動的)伝導率の解析を示した。有限波動ベクトル,q,および高磁場において,高周波伝導率は,強い非相反分散,振動挙動,負のσ′をもつ周波数領域のセット,および周波数によるσ′とσ′′の非指数関数的減衰(Landau減衰機構に対して反対)を示すことを見出した。III-V半導体化合物に基づく特別なプラズモンヘテロ構造のスペクトル特性の計算により,一般的な結果を説明した。高電場に曝された2DEGの動的伝導率の空間分散の詳細な解析は,異なるTHz応用にとって非常に重要であると結論した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元電子ガス ,  プラズモン ,  周波数 ,  *HF【周波数】 ,  強磁場 ,  Landau減衰 ,  半導体 ,  周波数領域 ,  波数ベクトル
準シソーラス用語： スペクトル特性 ,  ヘテロ構造 ,  指数関数的減衰 ,  *伝導率 ,  *高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電場 ,  二次元電子ガス ,  高周波 ,  伝導率 ,  衝突