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J-GLOBAL ID：201802255291678374   整理番号：18A1809063

シリコン導波路における後方第二高調波発生【JST・京大機械翻訳】

Backward Second Harmonic Generation in Silicon Waveguide

著者 (4件)： Janjan Babak (Dept. of Electrical and Computer Eng., Tarbiat Modares Univ., Tehran, Iran) ,  Fathi Davood (Dept. of Electrical and Computer Eng., Tarbiat Modares Univ., Tehran, Iran) ,  Ahmadi Vahid (Dept. of Electrical and Computer Eng., Tarbiat Modares Univ., Tehran, Iran) ,  Miri Mehdi (Dept. of Electrical and Computer Eng., Shiraz Univ., Shiraz, Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEE  ページ： 196-199  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン導波路における後方二次高調波発生(SHG)に関する最初の報告を示した。シリコン中の二次非線形性χ~(2)は,電場誘起SHGとして知られている四光波混合により埋め込まれた逆バイアスピンダイオードにおいて得られた大きなχ~(3)のシリコンと大きなDC電場を用いることにより実現される。考察したピンダイオードは,準位相整合技術を達成するために,導波路に沿った周期構造を持っている。±bP_2ω/P_ω=40%までの効率を予測した。これは,著者らの知る限りでは,以前に報告されたすべての値の20倍である。その上,第二高調波周波数の発生電力は電圧を印加することによって制御でき,約53%の上限でより効率的である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  *導波路 ,  非線形性 ,  *ケイ素 ,  周期構造 ,  電圧 ,  四光波混合 ,  周波数 ,  電力 ,  電場 ,  PINダイオード
準シソーラス用語： *第二高調波 ,  擬似位相整合 ,  直流電場 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  導波路 ,  第二高調波発生