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J-GLOBAL ID:201802255298111310   整理番号:18A1593222

反応結合Si/SiCセラミックのち密化に及ぼす技術パラメータの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of technological parameters on densification of reaction bonded Si/SiC ceramics
著者 (11件):
資料名:
巻: 38  号: 15  ページ: 4815-4823  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Si/SiC複合セラミックを,粉末射出成形により作製した多孔質C/SiCプレホームへの溶融シリコン溶浸のプロセスにおける反応焼結法により製造し,続いてフェノール樹脂と炭化による含浸を行った。セラミック緻密化プロセスを最適化するために,Si/SiC複合材料特性に及ぼすスラリー組成,脱バインダ条件,およびすべての技術段階のキーパラメータの影響を研究した。成形段階では,二モードSiC粉末とパラフィン系バインダを用いて,固体負荷87.5%の値を達成した。高速熱脱バインダの最適条件は空気中10°C/分の加熱速度に対応することが分かった。1200°Cで炭化した多孔質C/SiCセラミックプレホームは4%の熱分解炭素と~25%の開放細孔を含んでいた。Si/SiCセラミックのバルク密度は3.04g/cm3に達し,炭化ケイ素含有量は83~85wt%で,残留気孔率は2%を超えなかった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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