種々のhigh-κスタックを持つIn<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As MOSFETにおける電荷トラッピングに関連したバイアス温度不安定性の包括的研究

KWON Hyuk-Min; KIM Dae-Hyun; KIM Tae-Woo

文献

J-GLOBAL ID：201802255325610960 整理番号：18A2161615

種々のhigh-κスタックを持つIn_0.7Ga_0.3As MOSFETにおける電荷トラッピングに関連したバイアス温度不安定性の包括的研究

A comprehensive investigation of the bias temperature instability associated with charge trapping in In_0.7Ga_0.3As MOSFETs with various high-κ stacks

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A2161615&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A2161615&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 57 号： 10 ページ： 100308.1-100308.3 発行年： 2018年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,異なるゲートスタックを持つIn_0.7Ga_0.3As量子井戸(QW)MOSFETの包括的バイアス温度不安定性(BTI)信頼性を調べた。QWIn_0.7Ga_0.3As MOSFETにおけるΔV_T劣化の詳細な機構を調べ,high-κ層における有効障壁高さ,界面近傍トラップおよびバルクトラップを解析した。フッ素(F)処理によるIn_0.7Ga_0.3As QW MOSFETは,BTI特性のわずかな改善を示したが,これは,界面近傍トラップ状態にF原子を組み込むことによる支配的欠陥の減少によって説明できる。本研究は,D_itとN_BTの低い値を有する高品質high-κゲートスタックの開発の必要性を明らかにした。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , ,
, , , , , , ,

トランジスタ , 表面の電子構造

引用文献 (18件)：

Y. Xuan, Y. Q. Wu, and P. D. Ye, IEEE Electron Device Lett. 29, 294 (2008).
T.-W Kim, D -H Kim, D H. Koh, H. M. Kwon, R. H. Baek, D. Veksler, C. Huffman, K. Matthews, S. Oktyabrsky, A. Greene, Y. Ohsawa, A. Ko, H. Nakajima, M. Takahashi, T. Nishizuka, H. Ohtake, S. K. Banerjee, S. H. Shin, D.-H. Ko, C. Kang, D. Gilmer, R. J. W. Hill, W. Maszara, C. Hobbs, and P. D. Kirsch, IEDM Tech. Dig., 2013, 16.3.1.
T.-W. Kim, R. J. W. Hill, C. D. Young, D. Veksler, L. Morassi, S. Oktybrshky, J. Oh, C. Y. Kang, D.-H. Kim, J. A. del Alamo, C. Hobbs, P. D. Kirsch, and R. Jammy, VLSI Symp. Tech. Dig., 2012, p. 179.
M. H. Hong, J. R. Kwo, P.-C. Tsai, Y. Chang, M.-L. Huang, C.-P. Chen, and T.-D. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 3167 (2007).
S. Takagi, R. Zhang, J. Suh, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi, and M. Takenaka, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 06FA01 (2015).

, , , ,

前のページに戻る

種々のhigh-κスタックを持つIn0.7Ga0.3As MOSFETにおける電荷トラッピングに関連したバイアス温度不安定性の包括的研究

種々のhigh-κスタックを持つIn_0.7Ga_0.3As MOSFETにおける電荷トラッピングに関連したバイアス温度不安定性の包括的研究