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J-GLOBAL ID：201802255334077271   整理番号：18A0644311

新規半導体KCdAsS3の合成,結晶構造および電子構造【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, Crystal Structure and Electronic Structure of Novel Semiconducting KCdAsS3

著者 (5件)： SUN Bao-Hua (STATE KEY LABORATORY OF HIGH PERFORMANCE CERAMICS AND SUPERFINE MICROSTRUCTURE,SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES, SHANGHAI 200050, CHINA...) ,  HE Jian-Qiao (STATE KEY LABORATORY OF HIGH PERFORMANCE CERAMICS AND SUPERFINE MICROSTRUCTURE,SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES, SHANGHAI 200050, CHINA...) ,  BU Ke-Jun (STATE KEY LABORATORY OF HIGH PERFORMANCE CERAMICS AND SUPERFINE MICROSTRUCTURE,SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES, SHANGHAI 200050, CHINA...) ,  ZHANG Xian ( CHINESE ACADEMY OF SCIENCES, BEIJING NATIONAL LABORATORY FOR MOLECULAR SCIENCES AND STATE PEKING UNIVERSITY, BEIJING 100871, CHINA) ,  HUANG Fu-Qiang ( CHINESE ACADEMY OF SCIENCES, BEIJING NATIONAL LABORATORY FOR MOLECULAR SCIENCES AND STATE PEKING UNIVERSITY, BEIJING 100871, CHINA)
資料名： Chinese Journal of Structural Chemistry  (Chinese Journal of Structural Chemistry)
巻： 36  号： 11  ページ： 1791-1796  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2524A  ISSN： 0254-5861  CODEN： JHUADF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KCdAsS3(Mr--322.60)の新しい化合物をチオ尿素反応性フラックス法を用いて合成することに成功した。単結晶X線回折により結晶構造を決定した。標題化合物は空間群P21/nの単斜晶系で結晶化し,a=5.9537(7),b=16.633(3),c=6.093(1)(A),β=90.781(3)°,V=610.0(1)(A),μ(MoKa)=10.52mm-1,F(000)=592,R=0.057及びwR=0.136であった。KCdAsS3の結晶構造は,K+イオンにより分離された[CdAsS3]-層を特徴とする。第一原理計算は,KCdAsS3が2.3eVのバンドギャップをもつ間接バンドギャップ半導体であることを示した。四面体CdS4およびピラミッドAsS3の新しい層状化合物は光ルミネセンス,光触媒および光電応用に対して潜在的に有用である。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 層状化合物 ,  空間群 ,  角錐 ,  単斜晶系 ,  フラックス法 ,  *半導体 ,  *結晶構造 ,  光ルミネセンス ,  *電子構造 ,  四面体 ,  バンドギャップ ,  ウレア化合物 ,  有機硫黄化合物
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  単結晶X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 分子化合物の結晶構造  (BK09050T) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  芳香族化合物の結晶構造  (BK08020F)

物質索引 (1件)： チオ尿素

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶構造 ,  電子構造