文献

J-GLOBAL ID：201802255367127922   整理番号：18A1900188

歪によるSnS上のガス吸着の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of Gas Adsorption on SnS by strain

著者 (4件)： Hu Fafei (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Ye Huaiyu (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Tang Hongyu (Electronic Components, Delft University of Technology, Delft, 2628 CD, Netherlands) ,  Chen Xianping (College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 941-943  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnS単分子層は,その独特の電子的および光学的性質のために強い注目を集めている。第一原理計算によりSnSの電子特性を系統的に調べた。結果は,単分子層が間接バンドギャップを有することを示した。さらに,SnSの電子構造を調整するために機械的歪を実行し,対応する結果は,適切な外部歪を受けたとき,バンドギャップの間接的直接遷移を示した。興味深いことに,バンドギャップは0%から7%への引張歪の下で直線的に増加することができ,一方,バンドギャップは圧縮歪の下で減少した。二軸歪に対して,バンドギャップは一軸歪(ジグザグxまたはアームチェアy方向)下のそれと比較してより顕著に変化した。さらに,SnS単分子層上のガス分子(CO_2,H_2S,C_2H_4およびNO_2)吸着特性を,二軸歪を通して調整することができることを実証した。特に,NO_2吸着は,二軸引張歪下でSnS単分子層上でさらに強化された。これらの結果は,SnSベースの歪ガスセンサを作製するための指針を提供する可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  電子構造 ,  *吸着 ,  単分子層 ,  *スズ ,  ガスセンサ ,  折れ線
準シソーラス用語： 一軸歪 ,  二軸ひずみ ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  直接遷移 ,  間接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  *ガス吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： SNS ,  ガス吸着 ,  変調