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J-GLOBAL ID：201802255368932694   整理番号：18A2041510

ゲートp型Siチップからの非飽和電界電子放出の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanism of non-saturated field electron emission from gated p-type Si tips

著者 (6件)： Huang Zhijun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China) ,  Huang Yifeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IVNC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非飽和電子放出の機構を明らかにするために,同じゲート面積(A_G)を有するが,種々のチップ数(N_チップ)を有するゲート化p型Siチップアレイを研究した。N_チップ/A_G比は,非飽和放出の電流増加速度(dI/dV_G)を決定することが分かった。非飽和電流の増加速度の変化を解釈するために,局所Joule熱効果を考慮した表面枯渇/反転支配電子供給モデルを提案した。アレイ中のより少ないエミッタは,各チップ上のより高い平均電流をもたらし,それにより,より強い非飽和放出を誘起するために,非常に局所的なJoule熱をもたらす。本研究では,ゲートp型エミッタからの非飽和放出の機構を明らかにし,電流増加速度がN_チップ/A_G比を変えることにより修正できることを示した。この知見は信頼性のある制御可能なSiベースの電子源の設計に重要である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電子放出 ,  *電界放出 ,  信頼性 ,  電子源 ,  電流
準シソーラス用語： Joule熱 ,  飽和電流 ,  *シリコンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  P型Si ,  非飽和 ,  電界電子放出