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J-GLOBAL ID：201802255374751869   整理番号：18A1805737

低真空度での熱蒸着a-Se薄膜の構造,光学およびX線光応答特性に及ぼす蒸発時間の影響【JST・京大機械翻訳】

Evaporation time effects on structural, optical and X-ray photoresponse properties of thermal evaporated a-Se thin films at low vacuum degree

著者 (3件)： Li Jitao (College of Intelligent Manufacturing, Sichuan University of Arts and Science, Dazhou 635000, China) ,  Zhu Xinghua (College of Intelligent Manufacturing, Sichuan University of Arts and Science, Dazhou 635000, China) ,  Yang Dingyu (College of Optoelectronic Technology, Chengdu University of Information Technology, Chengdu 610225, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 9  ページ： 095304-095304-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低真空度10~2Paで異なる蒸発時間の熱蒸着非晶質セレン(a-Se)薄膜を調製した。結果は,a-Se薄膜が蒸発時間の延長により結晶化しやすいことを示した。また,a-Se薄膜の透過率吸収端は,2.08eVから2.15eVへの増強された光学エネルギーギャップをもつ青方偏移を示した。さらに,暗電流はエネルギーギャップに依存し,蒸発時間の延長とともに低くなることが分かった。さらに,a-Se薄膜は,急速な光応答と小さな印加電圧要求により,改善されたX線光電流利得を示した。全体として,本研究は,蒸発時間の増加が薄膜のより良い堆積品質をもたらし,エネルギーギャップとX線光応答を強化するが,薄膜はより高温に抵抗できないことを明らかにした。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線 ,  *薄膜 ,  暗電流 ,  透過率 ,  品質 ,  *真空蒸着 ,  *蒸発 ,  結晶化 ,  高速度 ,  高温 ,  *応答特性 ,  エネルギーギャップ ,  青方偏移
準シソーラス用語： *光応答 ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 真空度 ,  熱蒸着 ,  Se ,  薄膜 ,  光学 ,  X線 ,  応答特性 ,  蒸発