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J-GLOBAL ID：201802255532604870   整理番号：18A0512157

陽電子消滅により研究したフォトクロミックイットリウムオキシハライド薄膜における電子構造と空格子点形成【Powered by NICT】

Electronic structure and vacancy formation in photochromic yttrium oxy-hydride thin films studied by positron annihilation

著者 (8件)： Plokker M.P. (Fundamental Aspects of Materials and Energy, Department of Radiation Science and Technology, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Mekelweg 15, NL-2629 JB Delft, The Netherlands) ,  Eijt S.W.H. (Fundamental Aspects of Materials and Energy, Department of Radiation Science and Technology, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Mekelweg 15, NL-2629 JB Delft, The Netherlands) ,  Naziris F. (Fundamental Aspects of Materials and Energy, Department of Radiation Science and Technology, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Mekelweg 15, NL-2629 JB Delft, The Netherlands) ,  Schut H. (Neutron and Positron Methods in Materials, Department of Radiation Science and Technology, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Mekelweg 15, NL-2629 JB Delft, The Netherlands) ,  Nafezarefi F. (Materials for Energy Conversion and Storage, Department of Chemical Engineering, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, NL-2629 HZ Delft, The Netherlands) ,  Schreuders H. (Materials for Energy Conversion and Storage, Department of Chemical Engineering, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, NL-2629 HZ Delft, The Netherlands) ,  Cornelius S. (Materials for Energy Conversion and Storage, Department of Chemical Engineering, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, NL-2629 HZ Delft, The Netherlands) ,  Dam B. (Materials for Energy Conversion and Storage, Department of Chemical Engineering, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, NL-2629 HZ Delft, The Netherlands)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 177  ページ： 97-105  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イットリウムオキシハイドライド(YO_xH_y)薄膜におけるフォトクロミック効果の機構を調べるために,Doppler広がり陽電子消滅分光法(PAS)を電子構造と組成,UV照射と熱アニーリングの関数としてYO_xH_yおよび関連物質中の空格子点の存在を調べるために適用した。Y,イットリウムdi-hydride YH_1 9+δとY_2O_3薄膜の一連のDoppler SとWパラメータ深さプロフィルは,金属Y,YH_1 9+δと広いバンドギャップ絶縁体Y_2O_3の電子構造における明確な差によって生じた強い系統的変化を示した。フォトクロミックYO_xH_y(~2.6eVのバンドギャップを持つ半導体)のDoppler広がりパラメータであるYH_1 9+δとY_2O_3のそれらの中間であった。フォトクロミック効果に関連したナノ構造変化を調べるために,YO_xH_yのSパラメータをその場UV照射中にモニターした。Sパラメータの小さいが系統的な増加が観察され,おそらく生成したアニオン空格子点を含むカチオン空孔または小さな空格子点クラスタの生成により誘導された。変化は暗条件,構造変化はフォトクロミック機構の直接原因ではないことを示しながら漂白中の緩和しなかった。約90°C以上の温度では,熱アニーリングはDoppler Sパラメータのかなりの増加をもたらし,結果として水素の局所的除去による空格子点の形成を示していた。同時に,光学バンドギャップは増加し,O:H比の増加と一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  深さプロフィル ,  *電子構造 ,  ナノ構造 ,  光学ギャップ ,  紫外線照射 ,  *陽電子消滅 ,  アニオン ,  *薄膜 ,  カチオン
準シソーラス用語： 構造変化 ,  Sパラメータ ,  熱アニーリング ,  Dopplerブロードニング ,  *フォトクロミック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フォトクロミック材料 ,  空格子点 ,  電子構造 ,  イットリウム水素化物 ,  陽電子消滅 ,  薄膜

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 陽電子消滅 ,  研究 ,  薄膜 ,  電子構造 ,  空格子点