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J-GLOBAL ID：201802255536664549   整理番号：18A2233939

垂直積層多重SINW FETのより現実的なNEGFシミュレーションに向けて【JST・京大機械翻訳】

Toward more realistic NEGF simulations of vertically stacked multiple SiNW FETs

著者 (6件)： Park Hong-Hyun (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc, San Jose, California, USA) ,  Choi Woosung (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc, San Jose, California, USA) ,  Pourghaderi Mohammad Ali (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kim Jongchol (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kwon Uihui (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kim Dae Sin (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SISPAD  ページ： 206-209  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数(NEGF)法に基づく垂直積層多重シリコンナノワイヤ(SiNW)FETの量子輸送シミュレーション結果を示した。多チャネルFETの複雑な形状や様々なキャリア散乱過程のようなより現実的なデバイス条件を考慮するために,NEGFシミュレーションの物理モデルと数値技術を改良した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  *多重化 ,  キャリア散乱
準シソーラス用語： 物理モデル ,  マルチチャネル ,  量子輸送 ,  シリコンナノワイヤ ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  多重 ,  FET ,  現実 ,  シミュレーション