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J-GLOBAL ID：201802255583058562   整理番号：18A0401413

1.3μmのために設計されたGaInNAs系RCEPDの温度に依存した演算の特性化【Powered by NICT】

Characterization of temperature dependent operation of a GaInNAs-based RCEPD designed for 1.3 μm

著者 (5件)： Sarcan F. (Istanbul University, Istanbul University Science Faculty Physics Department, Vezneciler, 34314, Istanbul, Turkey) ,  Nordin M.S. (University of Essex, School of Computer Science and Electronic Engineering, Colchester, CO4 3SQ, UK) ,  Kuruoglu F. (Istanbul University, Istanbul University Science Faculty Physics Department, Vezneciler, 34314, Istanbul, Turkey) ,  Erol A. (Istanbul University, Istanbul University Science Faculty Physics Department, Vezneciler, 34314, Istanbul, Turkey) ,  Vickers A.J. (University of Essex, School of Computer Science and Electronic Engineering, Colchester, CO4 3SQ, UK)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 27-34  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInNAs系共振空洞増強光検出器(RCEPD)の温度に依存した演算の特性,1.3μmの分散最小光通信窓で動作するように設計を報告した。転送行列法(TMM)を用いて,このデバイスの構造を設計した。光検出器の吸収層は九七nm厚のGaの0.733では0.267N0.025として0.975(Sb)/GaN0.035として0.965量子井戸,上部と底部の鏡として成長させたGaAs/AlAs分布Bragg反射器(DBR)の15および10対から成るデバイスの共振器を形成した。デバイスの特性を調べるために,全ての電気的および光学的測定は10~40°Cの温度範囲で行った。量子効率は16%(10°Cで)と31%(40°Cで)の範囲にあると決定した。優れた波長選択性は,3.7nm(10°Cで)から5.4nm(40°Cで)観察された。デバイスの暗電流はバイアスなしに40°Cで10°Cと19nAで11nAとして測定した。 0.5Vで光電流は,25°Cで1.5mAであった。デバイスの高い暗電流が歪補償GaNAs障壁層で囲まれたGaInNAs QW中の電子の弱い閉込めに起因した。温度依存共振器波長を解析的に計算し実験結果と比較した。共鳴波長(d λ/d T)の温度に依存する線形シフトは0.077nm/°C,実験結果と,0.080nm/°C良く一致したとして計算された。著者らの結果は,量子効率,FWHMなどRCEPDの特性はDBRの屈折率の温度依存性のために温度変化に極めて敏感であることを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子効率 ,  ヒ化ガリウム ,  共振器 ,  共振 ,  光通信 ,  光電流 ,  光検出器 ,  温度依存性 ,  FWHM ,  波長 ,  暗電流 ,  *ガリウム ,  ヒ化アルミニウム ,  量子井戸
準シソーラス用語： *ヒ化窒化ガリウムインジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： RCEPD ,  RCEPDの温度依存性 ,  光検出器 ,  GaInNAs ,  DBRの温度依存性 ,  分布Bragg反射器

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 設計 ,  GaInNAs ,  特性化