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J-GLOBAL ID：201802255593136244   整理番号：18A1446765

InxGa1-xAsの物理的性質に及ぼすIn組成の影響の研究【JST・京大機械翻訳】

The effects of different In components on the physical properties of InxGa1-xAs

著者 (10件)： Liu Xuefei (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽550025;貴州師范大学 物理与電子科学学院,貴陽550025) ,  Luo Zijiang (貴州財経大学 信息学院,貴陽,550025) ,  Zhou Xun (貴州師范大学 物理与電子科学学院,貴陽,550025) ,  Wang Jihong (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽,550025) ,  Wei Jiemin (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽550025;貴州理工学院,貴陽550002) ,  Wang Yi (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽,550025) ,  Guo Xiang (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽,550025) ,  Lang Qizhi (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽,550025) ,  Liu Wansong (貴州師范大学 物理与電子科学学院,貴陽,550025) ,  Ding Zhao (貴州大学 大数据与信息工程学院,貴陽,550025)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 49  号： 5  ページ： 5145-5150  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： InxGa1-xAsの格子定数,原子緩和状態,および分波状態密度を,xが0から変化するとき,計算し,その結果,InxGa1-xAsのInxGa1-xAsは,InxGa1-xAsの場合,InxGa1-xAsの格子定数,原子緩和状態,および分波状態密度を,それぞれ,計算した。格子定数の増加はVegard定理と一致した。系の緩和後、Ga-Asの結合長が小さくなる程度はIn成分の増加に伴い大きくなり、In-As結合の長さはIn成分の変化にあまり依存しない。In-As-In結合角は小さくなり、In成分が0.625を超えると、その変化程度は非常に弱い。Ga-As-Ga結合角とGa-As-In結合角は異なる程度に大きくなり、Ga-As-In結合角の変化幅はIn成分が0.5の時に最も深刻である。系の状態密度の計算結果から、InドーピングはGaAs材料の物理的性質に深刻な影響を与えることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核間距離 ,  格子定数 ,  緩和現象 ,  結合角 ,  *インジウム ,  状態密度 ,  ヒ化ガリウム

著者キーワード (4件)： density functional ,  relaxation ,  electronic structure ,  bond angle

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 物理的性質 ,  組成 ,  研究