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J-GLOBAL ID：201802255603125128   整理番号：18A1511487

吸収基板上の高反射誘電体被覆のレーザ誘起損傷しきい値【JST・京大機械翻訳】

Laser induced damage threshold of high reflective dielectric coatings on absorbing substrate

著者 (3件)： Akhmadullin R. M. (Department of Laser System and Technologies, ITMO University, Saint-Petersburg, Russia) ,  Gagarskiy S. V. (Department of Laser System and Technologies, ITMO University, Saint-Petersburg, Russia) ,  Sergeev A. N. (Department of Laser System and Technologies, ITMO University, Saint-Petersburg, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICLO  ページ： 117  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC吸収基板上のHfO_2/SiO_2とTa_2O_5/SiO_2被覆のレーザ誘起損傷(LID)を調べた。実験的に,レーザビームに対する試料の振動または微小変位の存在はLID閾値の著しい減少をもたらす可能性があることを実験的に示した。炭化ケイ素基板における熱誘起応力の数値シミュレーションは,試料変位の存在下で熱誘起応力の増加を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *誘電体 ,  *被覆 ,  レーザビーム ,  *レーザ損傷 ,  炭化ケイ素 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  炭化ケイ素基板 ,  微小変位 ,  一酸化ケイ素 ,  *レーザ損傷閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘電体 ,  レーザ誘起損傷 ,  しきい値