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J-GLOBAL ID：201802255657107663   整理番号：18A1315792

CdZnTe結晶表面Au電極薄膜の調製とそのオーム接触性質【JST・京大機械翻訳】

Au Film Electrodes on CdZn Te Surface: Preparation and Ohmic Contact Property

著者 (10件)： Xie Jinghui (上海大学 材料科学与工程学院,上海 200444;中国科学院 上海技術物理研究所,上海 200083) ,  Liu Yucong (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Wang Chao (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Yin Ziwei (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Chen Jiadong (中国科学院 上海技術物理研究所,上海 200083;中国科学院 上海技術物理研究所,常州光電技術研究所,常州 213000) ,  Deng Huiyong (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Chen Yue (上海大学 材料科学与工程学院,上海,200444) ,  Wang Linjun (上海大学 材料科学与工程学院,上海,200444) ,  Zhang Jianguo (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083) ,  Dai Ning (中国科学院 上海技術物理研究所,上海,200083)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 33  号： 3  ページ： 273-278  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電極のオーム接触特性に対する異なる調製技術の影響を調べるため,真空蒸発,スパッタリング及び化学蒸着により,CdZnTeウエハ上にAu薄膜電極を作製した。その結果,化学析出法で調製したAu薄膜は,より平坦で,緻密であり,接触障壁の高さは低く,電極オーム接触特性が最良であった。アニーリング処理は電極のオーム接触特性を改善し,100°Cでのアニーリング後,化学析出法で調製したAu電極のオーム係数は0.883から0.915に増加し,障壁高さは0であった。電気化学インピーダンス分光法(EIS)は,化学析出法で製造した電極が最低の接触障壁を有し,界面でのウエハ表面のドーピングと欠陥の変化に関係することを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  化学蒸着 ,  *超薄膜 ,  *金 ,  *Ohm接触 ,  膜電極
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 ,  障壁高さ ,  真空蒸発 ,  結晶表面 ,  *テルル化亜鉛カドミウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CdZnTe ,  Au film preparation ,  Ohmic contact ,  AC impedance spectra

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： CdZnTe ,  結晶表面 ,  Au電極 ,  薄膜 ,  調製 ,  オーム接触 ,  性質