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J-GLOBAL ID：201802255759939778   整理番号：18A1564862

プラズマCVDによりDLCを全面被膜した単結晶シリコンマイクロ構造体の引張特性に及ぼす成膜バイアスの影響

著者 (5件)： ZHANG Wenlei (京大) ,  上杉晃生 (愛知工大) ,  平井義和 (京大) ,  土屋智由 (京大) ,  田畑修 (京大)
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.J2210103  発行年： 2017年09月02日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,成膜時の基板バイアス電圧を制御して,シリコン構造体の引張強度を向上させるため,構造体の全面に5条件で150nmのDLC薄膜をPECVD成膜した。成膜バイアスが膜の機械特性に与える影響,試験片の引張強度及び強度ばらつきの改善について分析を行った。その結果,負バイアス電圧の増加に伴い,膜の硬さと内部応力が上昇し,引張強度のばらつきも減少した。また,バイアス電圧-400Vで引張強度が最も高くなった。DLCコーティングがシリコンMEMS構造体の引張強度,信頼性を向上させる有効な方法であることを見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *被覆 ,  ケイ素 ,  電圧制御 ,  *引張強さ ,  *DLC膜 ,  硬度 ,  内部応力 ,  MEMS
準シソーラス用語： *プラズマCVD被覆 ,  単結晶シリコン ,  バイアス電圧 ,  負電圧 ,  信頼性向上

分類 (4件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマCVD ,  DLC ,  被膜 ,  単結晶シリコン ,  マイクロ構造体 ,  引張特性 ,  成膜 ,  バイアス