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J-GLOBAL ID：201802255836798033   整理番号：18A0971841

Si基板上に成長させたGaNベースのnanopillar型結晶の特性【JST・京大機械翻訳】

Properties of GaN-based nanopillar-shaped crystals grown on a multicrystalline Si substrate

著者 (2件)： Fujiwara Atomu (Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, Akita 010-8502, Japan) ,  Sato Yuichi (Department of Mathematical Science and Electrical-Electronic-Computer Engineering, Graduate School of Engineering Science, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, Akita 010-8502, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 015004-015004-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池に広く使われている多結晶シリコン基板上の窒化ガリウム系ナノ毛細管型結晶の成長を初めて示した。他の基板上に成長させた構造に類似した方法で,ナノ毛細管型結晶を多結晶基板上に成長させることに成功した。ゲルマニウムドーピングを用いて,光ルミネセンススペクトルにおける構造変化と高度に増強されたバンド端発光を観測した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  ポリシリコン ,  多結晶 ,  *結晶 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： バンド端発光 ,  構造変化 ,  光ルミネセンススペクトル ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  結晶