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J-GLOBAL ID：201802255868623652   整理番号：18A0520998

キッカー磁石のためのSiC Marx発生器のための設計戦略【Powered by NICT】

Design strategies for a SiC Marx generator for a kicker magnet

著者 (4件)： Redondo L. M. (Instituto Superior de Engenharia de Lisboa (ISEL/GIAAPP), Lisbon, Portugal) ,  Kandratsyeu A. (EnergyPulse Systems (EPS), Lisbon, Portugal) ,  Barnes M.J. (ABT Group, TE Department, CERN, Geneva, Switzerland) ,  Fowler T. (ABT Group, TE Department, CERN, Geneva, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PPC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,40kV,3.2kA,3μsのパルス幅,上昇30nsと立下り時間,および1Hzの繰返し速度の仕様とMarx発生器のための種々の設計戦略と予備試験結果を考察し,サイラトロンと既存キッカーシステムのPFLの可能な代替。提案したトポロジーは50段階,各800Vステージ24SiC MOSFETを並列に構成を用いて,各MOSFETは約140Aパルスを導電性であろう。並列SiC MOSFETを用いた最初の試験を記述し,提案したトポロジーの観点から論じた。全体構造を検討し,寄生インダクタンスは,この応用のために重要な問題である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  サイラトロン ,  MOSFET ,  *磁石 ,  導電性 ,  パルス幅 ,  位相幾何学 ,  パルス
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  *Marx発生器 ,  繰返し速度 ,  立下り時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁石 ,  SiC ,  Marx発生器 ,  設計戦略